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【2h】

Implant Isolation of Both n-Type InP and InGaAs by Iron Irradiation: Effect of Post-Implant Annealing Temperature

机译：铁辐射对n型InP和InGaAs的植入物隔离：植入后退火温度的影响

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作者
Too, P; Ahmed, S; Jakiela, R; Barcz, A; Kozanecki, A; Sealy, B J; Gwilliam, R;
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作者单位

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年度 2003
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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1. Electrical isolation of n-type InP using MeV iron implantation at different doses and substrate temperatures [J] . Too P., Ahmed S., Jeynes C., Electronics Letters . 2002,第20期

机译：使用MeV铁注入在不同剂量和衬底温度下对n型InP进行电隔离
2. Implant isolation of InP by nitrogen irradiation: Effect of dose, initial carrier concentration and implantation temperature [J] . P. Too, S. Ahmed, R. Gwilliam, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. B, Beam Interactions with Materials and Atoms . 2005,第1a2期

机译：通过氮气辐照分离InP的植入物：剂量，初始载流子浓度和植入温度的影响
3. High performance InP/InGaAs/InP DHBTs with patterned sub-collector fabricated by elevated temperature N+ implant [J] . Mary Chen, Marko Sokolich, David Chow, Solid-State Electronics . 2005,第6期

机译：通过高温N +注入制成的具有图案化子集电极的高性能InP / InGaAs / InP DHBT
4. Implant isolation of both n-type InP and InGaAs by iron irradiation: effect of post-implant annealing temperature [C] . Too P., Ahmed S., Jakiela R., Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 2003. EDMO 2003. The 11th IEEE International Symposium on . 2003

机译：铁辐射对n型InP和InGaAs的植入物隔离：植入后退火温度的影响
5. High operating temperature of passively mode-locked InGaAsP/InP semiconductor lasers [D] . Tan, Wei Kiong. 2005

机译：被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
6. Post-implant analysis in permanent breast seed implant: automated plan reconstruction using simulated annealing [O] . Elizabeth Watt, Matthew Skarsgard, Michael Roumeliotis, 2019

机译：永久性乳房种子植入物中的植入后分析：使用模拟退火自动重建计划
7. Investigation of the Annealing Behaviour of Implanted Nitrogen in n-type InP [O] . Likonen Vkevinen Ahlgren, J. Likonen, K. Vkevinen, 2007

机译：n型InP中注入氮的退火行为研究
8. Formation of subsurface aluminum layers in beryllium by ion implantation and post-implant annealing. [R] . Brown, D. W. 1990

机译：通过离子注入和注入后退火在铍中形成亚表面铝层。

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